Toshiba Type N-Channel MOSFET, 65 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

18 028,00 kr

(exkl. moms)

22 536,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 000 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +9,014 kr18 028,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
171-2428
Tillv. art.nr:
TK65S04N1L
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Toshiba

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

65A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.3mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

107W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

39nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

2.3mm

Length

6.5mm

Width

7 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

RoHS-status: Undantagen

COO (Country of Origin):
JP
Applications

Automotive

Motor Drivers

Switching Voltage Regulators

Features

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.3 mΩ (typ

Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V)

Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)

relaterade länkar