Toshiba Type N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

12 728,00 kr

(exkl. moms)

15 910,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 - 20006,364 kr12 728,00 kr
4000 - 80005,874 kr11 748,00 kr
10000 +5,454 kr10 908,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
171-2429
Tillv. art.nr:
TK8S06K3L
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Toshiba

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

80mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

25W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

7 mm

Length

6.5mm

Height

2.3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

RoHS-status: Undantagen

COO (Country of Origin):
JP
Automotive

Motor Drivers

DC-DC Converters

Switching Voltage Regulators

Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 43 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 60 V)

Enhancement mode: Vth = 2.0 to 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA

relaterade länkar