STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 100 V Förbättring, 3 Ben, H2PAK, DeepGate, STripFET
- RS-artikelnummer:
- 168-8819
- Tillv. art.nr:
- STH150N10F7-2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
- RS-artikelnummer:
- 168-8819
- Tillv. art.nr:
- STH150N10F7-2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | H2PAK | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 117nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 4.8mm | |
| Bredd | 10.57 mm | |
| Längd | 10.4mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp H2PAK | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 117nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 4.8mm | ||
Bredd 10.57 mm | ||
Längd 10.4mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 110 A 100 V Förbättring H2PAK STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 5 A 60 V Förbättring SOIC STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 120 A 60 V Förbättring TO-220 STripFET
- STMicroelectronics Typ N Kanal 180 A 80 V Förbättring H2PAK, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal 180 A 100 V Förbättring H2PAK, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal 180 A 100 V Förbättring H2PAK, STripFET H7
- STMicroelectronics Typ N Kanal 80 A 40 V Förbättring TO-252 STripFET AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal 110 A 100 V Förbättring TO-220, STripFET H7