Infineon 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 3 A 50 V Förbättring, 8 Ben, SOIC, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

9 168,00 kr

(exkl. moms)

11 460,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +2,292 kr9 168,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
168-8757
Tillv. art.nr:
IRF7103TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3A

Maximal källspänning för dränering Vds

50V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

SOIC

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

200mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

12nC

Maximal effektförlust Pd

2W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Transistorkonfiguration

Isolerad

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.5mm

Längd

5mm

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 3A maximal kontinuerlig dräneringsström, 2W maximal effektförlust - IRF7103TRPBF


Denna MOSFET är konstruerad för effektiv prestanda i olika applikationer. Den tåliga konstruktionen är särskilt fördelaktig i kretsar som kräver effektiv strömhantering, vilket gör den lämplig för el- och automationssektorerna. Med en maximal drain-source-spänning på 50 V säkerställer den tillförlitliga switchfunktioner för att uppfylla applikationskraven.

Funktioner & fördelar


• Låg Rds(on) på 200mΩ för förbättrad effektivitet

• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 3A förbättrar effekthanteringen

• Driftstemperaturer upp till +150°C för ökad tillförlitlighet

• Brett gate-tröskelintervall på 1V till 3V för flexibel styrning

• Konfiguration med dubbla isolerade transistorer underlättar kretsintegration

• Ytmonterad design förenklar PCB-montering och optimerar utrymmet

Användningsområden


• Används i strömförsörjningskonstruktioner för energieffektiv drift

• Integrerad i motorstyrningen för effektiv motorstyrning

• Används i switchade nätaggregat för förbättrad prestanda

• Lämplig för automationssystem som kräver pålitliga omkopplingskomponenter

Vilket är det rekommenderade driftstemperaturområdet för denna komponent?


Komponenten arbetar effektivt inom ett temperaturområde på -55°C till +150°C, vilket garanterar tillförlitlighet i olika miljöer.

Hur bestämmer man lämplig gate-spänning för optimal prestanda?


Den acceptabla gate-source-spänningen varierar från -20V till +20V, vilket ger flexibilitet vid konstruktion av styrkretsar. För bästa resultat rekommenderas drift nära 10 V, vilket framgår av typiska specifikationer för gate-laddning.

Vilka säkerhetsåtgärder bör vidtas när du använder den här enheten?


Det är viktigt att inte överskrida spännings- och strömvärdena under drift för att undvika eventuella fel eller skador. Dessutom kan lämplig kylfläns vara nödvändig för att bibehålla optimala driftstemperaturer under tung belastning.

Kan den användas i kretsar som kräver snabb växling?


Ja, den här MOSFET:en är konstruerad för snabb växling, vilket gör den väl lämpad för applikationer som kräver höghastighetsprestanda, t.ex. PWM-styrning i motorstyrenheter.

Är denna MOSFET kompatibel med standardlayouter för kretskort?


Den ytmonterade designen överensstämmer med standardlayouter för kretskort, vilket underlättar integrering i befintliga kretsar med minimala justeringar för placering.

Relaterade länkar