IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 24 A, 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN24N100

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

569,18 kr

(exkl. moms)

711,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 88 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 4569,18 kr
5 - 19500,42 kr
20 - 49467,26 kr
50 - 99455,39 kr
100 +443,97 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
194-091
Tillv. art.nr:
IXFN24N100
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

24A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1kV

Package Type

SOT-227

Series

HiperFET

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

390mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

267nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

568W

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

9.6mm

Width

25.42 mm

Length

38.23mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

relaterade länkar