Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 350 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 165-8662
- Tillv. art.nr:
- NX3008NBKS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Inte tillgänglig
RS kommer inte längre att lagerföra denna produkt.
Alternativ
Denna produkt är för närvarande inte tillgänglig. Vi rekommenderar denna produkt istället.
Var (i en rulle med 3000)
0,742 kr
(exkl. moms)
0,928 kr
(inkl. moms)
- RS-artikelnummer:
- 165-8662
- Tillv. art.nr:
- NX3008NBKS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SC-88 | |
| Serie | Trench MOSFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.8Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.52nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | 150°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 445mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8 V | |
| Maximal arbetstemperatur | -55°C | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Bredd | 1.35 mm | |
| Längd | 2.2mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SC-88 | ||
Serie Trench MOSFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.8Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.52nC | ||
Minsta arbetsstemperatur 150°C | ||
Maximal effektförlust Pd 445mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8 V | ||
Maximal arbetstemperatur -55°C | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Bredd 1.35 mm | ||
Längd 2.2mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- TH
Dual N-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad 350 mA 30 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad 860 mA 20 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad 870 mA 20 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Typ P Kanal Isolerad 160 mA 50 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad 320 mA 60 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad 300 mA 60 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ P UltraFET Trench MOSFET 6 Ben NX3008CBKS AEC-Q101
- Nexperia 1 Typ N Kanal Enkel 320 mA 60 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
