Nexperia 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 320 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 781-6708
- Tillv. art.nr:
- 2N7002PS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
90,70 kr
(exkl. moms)
113,40 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,814 kr | 90,70 kr |
| 100 - 200 | 0,78 kr | 39,00 kr |
| 250 - 450 | 0,739 kr | 36,95 kr |
| 500 - 950 | 0,701 kr | 35,05 kr |
| 1000 + | 0,605 kr | 30,25 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 781-6708
- Tillv. art.nr:
- 2N7002PS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 320mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SC-88 | |
| Serie | Trench MOSFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 420mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Transistorkonfiguration | Enkel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 2.2mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 320mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SC-88 | ||
Serie Trench MOSFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 420mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Transistorkonfiguration Enkel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.35mm | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 2.2mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
N-kanal MOSFET, 60 V till 80 V, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia 1 Typ N Kanal Enkel, MOSFET, 320 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 320 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 350 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ P Kanal Isolerad, MOSFET, 160 mA 50 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 870 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 860 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 350 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, NX3008CBKS AEC-Q101