Nexperia 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 350 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, NX3008CBKS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 136-4842
- Tillv. art.nr:
- NX3008CBKS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Antal (1 förpackning med 100 enheter)*
108,00 kr
(exkl. moms)
135,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 58 000 enhet(er) från den 09 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 + | 1,08 kr | 108,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 136-4842
- Tillv. art.nr:
- NX3008CBKS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Produkttyp | UltraFET Trench MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ P, Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | NX3008CBKS | |
| Kapseltyp | SC-88 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.1Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Maximal effektförlust Pd | 990mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.52nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.2mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Produkttyp UltraFET Trench MOSFET | ||
Kanaltyp Typ P, Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie NX3008CBKS | ||
Kapseltyp SC-88 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.1Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Maximal effektförlust Pd 990mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.52nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Bredd 1.35mm | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.2mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Dubbel N/P-kanal MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 350 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, NX3008CBKS AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ P Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 500 mA -20 V Förbättring, 8 Ben, DFN, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Typ N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 260 mA 60 V Förbättring, 8 Ben, DFN, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Typ N Kanal Dubbel, UltraFET Trench MOSFET, 180 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, TSSOP, NX3020NAKS
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 350 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 870 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 860 mA 20 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 300 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101