Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad, MOSFET, 350 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 865-2182
- Tillv. art.nr:
- NX3008NBKS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 100 enheter)*
171,00 kr
(exkl. moms)
214,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 3 000 enhet(er) levereras från den 10 juni 2026
- Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 12 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | 1,71 kr | 171,00 kr |
| 200 - 400 | 1,539 kr | 153,90 kr |
| 500 + | 1,368 kr | 136,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 865-2182
- Tillv. art.nr:
- NX3008NBKS,115
- Tillverkare / varumärke:
- Nexperia
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Nexperia | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SC-88 | |
| Serie | Trench MOSFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 6 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.8Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | 150°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 445mW | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.52nC | |
| Transistorkonfiguration | Isolerad | |
| Maximal arbetstemperatur | -55°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 2.2mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Nexperia | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SC-88 | ||
Serie Trench MOSFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 6 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.8Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur 150°C | ||
Maximal effektförlust Pd 445mW | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.52nC | ||
Transistorkonfiguration Isolerad | ||
Maximal arbetstemperatur -55°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 2.2mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Dual N-Channel MOSFET, Nexperia
MOSFET-transistorer, NXP Semiconductors
Relaterade länkar
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad 350 mA 30 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad 860 mA 20 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad 870 mA 20 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad 300 mA 60 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ N Kanal Isolerad 320 mA 60 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ P Kanal Isolerad 160 mA 50 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
- Nexperia 2 Typ P UltraFET Trench MOSFET 6 Ben NX3008CBKS AEC-Q101
- Nexperia 1 Typ N Kanal Enkel 320 mA 60 V Förbättring SC-88, Trench MOSFET AEC-Q101
