Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 23 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR418DP

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

18 399,00 kr

(exkl. moms)

22 998,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +6,133 kr18 399,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-7266
Tillv. art.nr:
SIR418DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

23A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Serie

SiR418DP

Kapseltyp

SO-8

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

6mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

39W

Framåtriktad spänning Vf

0.71V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

50nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.25mm

Höjd

1.12mm

Bredd

5.26 mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

N-kanal MOSFET, 30V till 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor


Relaterade länkar