Vishay SiR418DP Type N-Channel MOSFET, 23 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

18 399,00 kr

(exkl. moms)

22 998,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 01 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +6,133 kr18 399,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
165-7266
Tillv. art.nr:
SIR418DP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

SiR418DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

50nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.71V

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Width

5.26 mm

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar