Vishay N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR870ADP
- RS-artikelnummer:
- 787-9355
- Tillv. art.nr:
- SIR870ADP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
142,46 kr
(exkl. moms)
178,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 735 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 28,492 kr | 142,46 kr |
| 50 - 120 | 25,648 kr | 128,24 kr |
| 125 - 245 | 22,758 kr | 113,79 kr |
| 250 - 495 | 21,392 kr | 106,96 kr |
| 500 + | 19,936 kr | 99,68 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 787-9355
- Tillv. art.nr:
- SIR870ADP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 60A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | SiR870ADP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 10.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 104W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 53.5nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Längd | 6.25mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 5.26mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 60A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie SiR870ADP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 10.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 104W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 53.5nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.12mm | ||
Längd 6.25mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 5.26mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 100 V till 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR870ADP
- Vishay Dubbel N-kanal Kanal, MOSFET, 7.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SI9945CDY
- Vishay Typ N, Typ P Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8
- Vishay 4 Dubbel N Kanal, MOSFET, 8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SI9634DY
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK SO-8, Si7164DP
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 39.3 A 60 V Förbättring, 4 Ben, SO-8, SiJ462ADP
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 45.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET