Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, Si7454DDP
- RS-artikelnummer:
- 787-9241
- Tillv. art.nr:
- SI7454DDP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
156,58 kr
(exkl. moms)
195,72 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 5 320 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 15,658 kr | 156,58 kr |
| 100 - 240 | 14,874 kr | 148,74 kr |
| 250 - 490 | 12,51 kr | 125,10 kr |
| 500 - 990 | 10,17 kr | 101,70 kr |
| 1000 + | 8,602 kr | 86,02 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 787-9241
- Tillv. art.nr:
- SI7454DDP-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 21A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | Si7454DDP | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 47mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12.8nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 29.7W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Längd | 6.25mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 21A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie Si7454DDP | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 47mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12.8nC | ||
Maximal effektförlust Pd 29.7W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.12mm | ||
Längd 6.25mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanal MOSFET, 100 V till 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterade länkar
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, Si7454DDP
- Vishay Dubbel N-kanal Kanal, MOSFET, 7.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SI9945CDY
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 45.5 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiR870ADP
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiRA84BDP
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 195 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiRA99DP
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 81.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, SiRA74DP