Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 7.6 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
180-7274
Tillv. art.nr:
SI2369DS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Kanaltyp

Typ P

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

7.6A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

TrenchFET

Kapseltyp

SOT-23

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

40mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Maximal effektförlust Pd

1.6W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

11.4nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

2.64 mm

Längd

3.04mm

Höjd

1.12mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 29mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum gate-source voltage of 20V and drain-source voltage of 30V. The MOSFET has a minimum and a maximum driving voltage of 4.5V and 10V respectively. It has continuous drain current of 7.6A and maximum power dissipation of 2.5W. MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications


• DC/DC converter

• For mobile computing

• Load switch

• Notebook adaptor switch

Certifications


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested

Relaterade länkar