Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET, 2.7 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

5 013,00 kr

(exkl. moms)

6 267,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Håller på att utgå
  • Slutlig(a) 9 000 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,671 kr5 013,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
146-1425
Tillv. art.nr:
SI2303CDS-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

2.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

TrenchFET

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.33Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

2.3W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.04mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Height

1.02mm

Width

1.4 mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar