Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 335 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

20 931,00 kr

(exkl. moms)

26 163,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 13 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +6,977 kr20 931,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
228-2915
Tillv. art.nr:
SIRA20BDP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

335A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Series

TrenchFET

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.58mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

16 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

124nC

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 25 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar