Infineon Typ N Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
165-5835
Tillv. art.nr:
IRFR4105ZTRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET-moduler för fordon

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Serie

HEXFET

Kapseltyp

TO-252

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

24.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

18nC

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

±20 V

Maximal effektförlust Pd

120W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

6.73mm

Bredd

6.22 mm

Höjd

2.39mm

Standarder/godkännanden

Automotive (Q101)

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 30 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 48 W maximal effektförlust - IRFR4105ZTRPBF


Denna MOSFET är konstruerad för hög effektivitet och tillförlitlighet i en mängd olika elektroniska applikationer. Den är nödvändig för spänningsreglering och omkoppling och uppfyller med sin robusta prestanda behoven inom automation, elektronik och elektroteknik. Enhetens låga on-resistans och förmåga att hantera höga kontinuerliga dräneringsströmmar gör att den kan användas i krävande miljöer.

Funktioner & fördelar


• Maximal kontinuerlig dräneringsström på 30 A garanterar hög prestanda

• Arbetar med en maximal drain-source-spänning på 55 V för högspänningsapplikationer

• Låg RDS(on) på 24,5 mΩ förbättrar energieffektiviteten

• Tål temperaturvariationer upp till +175°C

• Enhancement mode-teknik ger tillförlitlig switchad drift

• DPAK TO-252-förpackning möjliggör enkel ytmontering

Användningsområden


• Krafthanteringssystem för effektiv spänningsreglering

• Motorstyrningar och effektomvandlare inom automation

• Växelströmförsörjning och växelriktare

• Konsumentelektronik som kräver effektiv strömstyrning

Vad är den maximala tröskelspänningen för grinden?


Den maximala tröskelspänningen för grinden är 4V, vilket ger optimal grindstyrning i switchapplikationer.

Klarar den höga temperaturer?


Ja, denna MOSFET arbetar effektivt i temperaturer från -55°C till +175°C, vilket gör den lämplig för krävande miljöer.

Är denna MOSFET lämplig för ytmontering?


Ja, den levereras i en DPAK TO-252-förpackning som är utformad för enkel ytmontering.

Hur står den sig i jämförelse med andra MOSFET:er när det gäller effektförlust?


Den maximala strömavledningskapaciteten är 48 W, vilket gör att den kan hantera stora belastningar på ett effektivt sätt.

Vilka typer av applikationer är mest kompatibla med den här komponenten?


Den är särskilt effektiv i applikationer som kräver hög verkningsgrad, t.ex. motorstyrning, effektomvandlare och elektriska system inom automation.

Relaterade länkar