Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 62 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 220-7347
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR48ZTRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
143,14 kr
(exkl. moms)
178,925 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 31 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 28,628 kr | 143,14 kr |
| 25 - 45 | 27,194 kr | 135,97 kr |
| 50 - 120 | 24,46 kr | 122,30 kr |
| 125 - 245 | 22,02 kr | 110,10 kr |
| 250 + | 20,944 kr | 104,72 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7347
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR48ZTRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 62A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 40nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 91W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.22mm | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 62A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 40nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 91W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.22mm | ||
Höjd 2.39mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The Infineon AUIRFR48ZTRL specifically designed for automotive applications, this HEXFET power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. It is use in Automotive applications and a wide variety of other applications.
Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 62 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 42 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 30 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 62 A 55 V TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 59 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal -11 A -55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 11 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal 56 A 55 V Förbättring TO-252, HEXFET
