Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 62 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 220-7347
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR48ZTRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
137,76 kr
(exkl. moms)
172,20 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 11 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 27,552 kr | 137,76 kr |
| 25 - 45 | 26,186 kr | 130,93 kr |
| 50 - 120 | 23,542 kr | 117,71 kr |
| 125 - 245 | 21,19 kr | 105,95 kr |
| 250 + | 20,16 kr | 100,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7347
- Tillv. art.nr:
- AUIRFR48ZTRL
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 62A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 11mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 91W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 40nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.39mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.22mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 62A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 11mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 91W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 40nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.39mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.22mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon AUIRFR48ZTRL är speciellt utformad för fordonstillämpningar, denna HEXFET-effekt-MOSFET använder de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt låg påslagningsresistans per kiselarea. Den används i fordonstillämpningar och ett brett utbud av andra tillämpningar.
Avancerad processteknik
Ultra låg på-resistans
175°C Driftstemperatur
Snabbväxlande
Repetitiv avalanche tillåten upp till Tjmax
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 62 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 42 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET-moduler för fordon, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 62 A 55 V, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 42 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET