onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 340 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, 2N7002W AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 163-0841
- Tillv. art.nr:
- 2N7002WT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
1 080,00 kr
(exkl. moms)
1 350,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 6 000 enhet(er) levereras från den 24 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,36 kr | 1 080,00 kr |
| 6000 + | 0,338 kr | 1 014,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 163-0841
- Tillv. art.nr:
- 2N7002WT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 340mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SC-70 | |
| Serie | 2N7002W | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 0.7nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Maximal effektförlust Pd | 330mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.88V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 2.2mm | |
| Bredd | 1.35 mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 340mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SC-70 | ||
Serie 2N7002W | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 0.7nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Maximal effektförlust Pd 330mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.88V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 2.2mm | ||
Bredd 1.35 mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.9mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
N-kanalig effekt-MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal 340 mA 60 V Förbättring SC-70, 2N7002W AEC-Q101
- DiodesZetex Typ N Kanal 115 mA 60 V Förbättring SC-70 AEC-Q100, AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal 1.3 A 30 V Förbättring SC-70
- onsemi Typ P Kanal 1.37 A 20 V Förbättring SC-70
- onsemi Typ N Kanal 210 mA 50 V Förbättring SC-70, BSS138W
- Infineon Typ N Kanal 1.5 A 20 V Förbättring SC-70, OptiMOS AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 280 mA 60 V Förbättring SC-70, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal 150 mA 60 V Förbättring SC-70, SIPMOS AEC-Q101
