DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, 2N7002 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 708-2399
- Tillv. art.nr:
- 2N7002W-7-F
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
67,85 kr
(exkl. moms)
84,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 150 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 5 650 enhet(er) från den 21 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 550 | 1,357 kr | 67,85 kr |
| 600 - 1450 | 1,263 kr | 63,15 kr |
| 1500 + | 1,25 kr | 62,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 708-2399
- Tillv. art.nr:
- 2N7002W-7-F
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 115mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SC-70 | |
| Serie | 2N7002 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 200mW | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 800mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Längd | 2.2mm | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 115mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SC-70 | ||
Serie 2N7002 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 200mW | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 800mV | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Längd 2.2mm | ||
Bredd 1.35mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
N-kanal MOSFET, 40 V till 90 V, Diodes Inc
MOSFET-transistorer, inbyggda dioder
Relaterade länkar
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, 2N7002 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SC-89, 2N7002 AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q101
- onsemi N Kanal, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, 2N7002 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 N Kanal Isolerad, MOSFET, 115 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SC-88 AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal Dubbel, MOSFET, 261 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, 2N7002 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex N Kanal, MOSFET, 360 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, DMN53D0LW AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 130 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, BSS84W AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
