onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.37 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70
- RS-artikelnummer:
- 780-4767
- Tillv. art.nr:
- NTS4101PT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 50 enheter)*
114,15 kr
(exkl. moms)
142,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Försörjningsbrist
- Dessutom levereras 5 000 enhet(er) från den 14 september 2026
Vårt nuvarande lager är begränsat och våra leverantörer förväntar sig brist.
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 2,283 kr | 114,15 kr |
| 500 - 950 | 1,967 kr | 98,35 kr |
| 1000 + | 1,707 kr | 85,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 780-4767
- Tillv. art.nr:
- NTS4101PT1G
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 1.37A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SC-70 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 160mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 329mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 1.35mm | |
| Höjd | 0.9mm | |
| Längd | 2.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 1.37A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SC-70 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 160mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 329mW | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 8V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 1.35mm | ||
Höjd 0.9mm | ||
Längd 2.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
P-kanalig effekt-MOSFET, 20V, ON Semiconductor
MOSFET-transistorer, ON Semiconductor
Relaterade länkar
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.37 A 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 1.3 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SC-70
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-89
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 210 mA 50 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, BSS138W
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 310 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-70, OptiMOS P AEC-Q101
- onsemi Typ P Kanal, MOSFET, 760 mA 20 V Förbättring, 3 Ben, SC-75, NTA
- Vishay P-kanal Kanal, MOSFET, -36 A -20 V Förbättring, 6 Ben, PowerPAK SC-70, TrenchFET
- Microchip Typ P Kanal, MOSFET, 2 A 6 V Förbättring, 6 Ben, SC-70, MIC9405