Vishay Si4848DY Type N-Channel MOSFET, 2.7 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4848DY-T1-GE3
- RS-artikelnummer:
- 152-6374
- Tillv. art.nr:
- SI4848DY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
109,54 kr
(exkl. moms)
136,925 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 5 enhet(er) från den 29 december 2025
- Dessutom levereras 20 enhet(er) från den 29 december 2025
- Dessutom levereras 870 enhet(er) från den 05 januari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,908 kr | 109,54 kr |
| 50 - 120 | 19,756 kr | 98,78 kr |
| 125 - 245 | 18,636 kr | 93,18 kr |
| 250 - 495 | 17,516 kr | 87,58 kr |
| 500 + | 16,442 kr | 82,21 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 152-6374
- Tillv. art.nr:
- SI4848DY-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 2.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | SOIC | |
| Series | Si4848DY | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 95mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4 mm | |
| Height | 1.55mm | |
| Length | 5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 2.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type SOIC | ||
Series Si4848DY | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 95mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4 mm | ||
Height 1.55mm | ||
Length 5mm | ||
Automotive Standard No | ||
Halogen-free
TrenchFET® Power MOSFETs
relaterade länkar
- Vishay Si4848DY Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- Vishay TrenchFET Type P-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SI2303CDS-T1-GE3
- Vishay Si4162DY Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4162DY-T1-GE3
- Vishay Si4178DY Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3
- Vishay Si4850EY Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4850EY-T1-GE3
- Vishay Si4190ADY Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4190ADY-T1-GE3
- Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4090DY-T1-GE3
- Vishay ThunderFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4056DY-T1-GE3