Vishay Si4178DY Type N-Channel MOSFET, 12 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4178DY-T1-GE3

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

98,12 kr

(exkl. moms)

122,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 720 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 1804,906 kr98,12 kr
200 - 4803,926 kr78,52 kr
500 - 9803,685 kr73,70 kr
1000 - 19803,187 kr63,74 kr
2000 +2,649 kr52,98 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
812-3205
Tillv. art.nr:
SI4178DY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

12A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOIC

Series

Si4178DY

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

25 V

Forward Voltage Vf

0.85V

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4 mm

Standards/Approvals

No

Height

1.55mm

Length

5mm

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar