IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

133,59 kr

(exkl. moms)

166,99 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 270 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 4133,59 kr
5 - 9127,34 kr
10 +121,41 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
146-4372
Distrelec artikelnummer:
302-53-331
Tillv. art.nr:
IXFH60N65X2
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

HiperFET

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

108nC

Maximum Power Dissipation Pd

780W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Forward Voltage Vf

1.4V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

16.13mm

Height

21.34mm

Width

5.21 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

302-53-331

Low R and Q

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Applications

Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

relaterade länkar