IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 80 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH80N65X2

Se alla MOSFETs

Antal (1 rör med 30 enheter)*

3 307,35 kr

(exkl. moms)

4 134,18 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
30 +110,245 kr3 307,35 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
146-4236
Tillv. art.nr:
IXFH80N65X2
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Series

HiperFET

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

38mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

140nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.4V

Maximum Power Dissipation Pd

890W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

21.34mm

Width

5.21 mm

Length

16.13mm

Distrelec Product Id

304-30-535

Automotive Standard

No

Low RDS(ON) and Qg

Fast body diode

dv/dt ruggedness

Avalanche rated

Low package inductance

International standard packages

Resonant mode power supplies

High intensity discharge (HID) lamp ballast

AC and DC motor drives

DC-DC converters

Robotic and servo control

Battery chargers

3-level solar inverters

LED lighting

Unmanned Aerial Vehicles (UAVs)

Higher efficiency

High power density

Easy to mount

Space savings

relaterade länkar