IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH60N65X2

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

2 675,79 kr

(exkl. moms)

3 344,73 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 270 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
30 - 12089,193 kr2 675,79 kr
150 - 27082,148 kr2 464,44 kr
300 +80,095 kr2 402,85 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
146-4234
Tillv. art.nr:
IXFH60N65X2
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-247

Series

HiperFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

108nC

Forward Voltage Vf

1.4V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

780W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

21.34mm

Length

16.13mm

Width

5.21 mm

Automotive Standard

No

Low R and Q

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Applications

Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

relaterade länkar