IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-268, HiperFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 914,48 kr

(exkl. moms)

2 393,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +63,816 kr1 914,48 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
146-4235
Tillv. art.nr:
IXFT60N65X2HV
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

60A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

HiperFET

Kapseltyp

TO-268

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

52mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.4V

Maximal effektförlust Pd

780W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

108nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

16.05mm

Höjd

5.1mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Low RDS(ON) and Qg

Fast body diode

dv/dt ruggedness

Avalanche rated

Low package inductance

International standard packages

Resonant mode power supplies

High intensity discharge (HID) lamp ballast

AC and DC motor drives

DC-DC converters

Robotic and servo control

Battery chargers

3-level solar inverters

LED lighting

Unmanned Aerial Vehicles (UAVs)

Higher efficiency

High power density

Easy to mount

Space savings

Relaterade länkar