IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 60 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-268 IXFT60N65X2HV

Se alla MOSFETs

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 914,48 kr

(exkl. moms)

2 393,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 04 januari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
30 +63,816 kr1 914,48 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
146-4235
Tillv. art.nr:
IXFT60N65X2HV
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

TO-268

Series

HiperFET

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

52mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

780W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.4V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

108nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

15.15 mm

Standards/Approvals

No

Height

5.1mm

Length

16.05mm

Automotive Standard

No

Low RDS(ON) and Qg

Fast body diode

dv/dt ruggedness

Avalanche rated

Low package inductance

International standard packages

Resonant mode power supplies

High intensity discharge (HID) lamp ballast

AC and DC motor drives

DC-DC converters

Robotic and servo control

Battery chargers

3-level solar inverters

LED lighting

Unmanned Aerial Vehicles (UAVs)

Higher efficiency

High power density

Easy to mount

Space savings

relaterade länkar