IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 145 A, 650 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN150N65X2

Se alla MOSFETs

Antal (1 rör med 10 enheter)*

5 121,87 kr

(exkl. moms)

6 402,34 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 10 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per Rør*
10 +512,187 kr5 121,87 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
146-4239
Tillv. art.nr:
IXFN150N65X2
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

145A

Maximum Drain Source Voltage Vds

650V

Package Type

SOT-227

Series

HiperFET

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

17mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

1.04kW

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

335nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.4V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

25.07 mm

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Height

9.6mm

Automotive Standard

No

Low RDS(ON) and Qg

Fast body diode

dv/dt ruggedness

Avalanche rated

Low package inductance

International standard packages

Resonant mode power supplies

High intensity discharge (HID) lamp ballast

AC and DC motor drives

DC-DC converters

Robotic and servo control

Battery chargers

3-level solar inverters

LED lighting

Unmanned Aerial Vehicles (UAVs)

Higher efficiency

High power density

Easy to mount

Space savings

relaterade länkar