Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 5 A 30 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, TrenchFET
- RS-artikelnummer:
- 180-7273
- Tillv. art.nr:
- SI2347DS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Antal (1 rulle med 3000 enheter)*
3 072,00 kr
(exkl. moms)
3 840,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,024 kr | 3 072,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 180-7273
- Tillv. art.nr:
- SI2347DS-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 42mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.1W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 3.04mm | |
| Bredd | 2.64 mm | |
| Höjd | 1.12mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 42mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Maximal effektförlust Pd 1.1W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 3.04mm | ||
Bredd 2.64 mm | ||
Höjd 1.12mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 42mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power rating of 1.7W and continuous drain current of 5A. The minimum and a maximum driving voltage for this transistor are 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Halogen free
• Lead (Pb) free
• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C
• TrenchFET power MOSFET
Applications
• DC/DC converter
• Load switch
• Notebook adaptor switch
• Power management
Certifications
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg tested
Relaterade länkar
- Vishay Typ P Kanal 5 A 30 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay P-kanal Kanal -3.1 A -20 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 2.2 A 80 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 5.9 A 20 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 7.6 A 30 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 6 A 20 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 3.5 A 30 V Förbättring SOT-23, TrenchFET
- Vishay Typ P Kanal 2.7 A 30 V Förbättring SOT-23, TrenchFET