Vishay SiR632DP Type N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR632DP-T1-RE3

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

60,21 kr

(exkl. moms)

75,26 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 285 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 +12,042 kr60,21 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
134-9723
Tillv. art.nr:
SIR632DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

29A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

SO-8

Series

SiR632DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

41mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Power Dissipation Pd

69.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.12mm

Standards/Approvals

No

Length

6.25mm

Width

5.26 mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


relaterade länkar