N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR632DP-T1-RE3

RS-artikelnummer:: 134-9159
Tillv. art.nr:: SIR632DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR632DP-T1-RE3

Pris (ex. moms) Var (i en rulle med 3000)

5,18 kr

(exkl. moms)

6,48 kr

(inkl. moms)

285 I lager för avsändande samma dag*

* Leveransdatumen kan ändras beroende på vald kvantitet och leveransadress.

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

Enheter	Per enhet	Per rulle**
3000 +	5,18 kr	15 540,00 kr

RS-artikelnummer:: 134-9159
Tillv. art.nr:: SIR632DP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:: Vishay

SiR632DP, N-Channel 150V MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attribute	Value
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	29 A
Maximum Drain Source Voltage	150 V
Package Type	PowerPAK SO-8
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	41 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Maximum Power Dissipation	69.5 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs	14 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Length	6.25mm
Width	5.26mm
Number of Elements per Chip	1
Height	1.12mm
Forward Diode Voltage	1.1V
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR632DP-T1-RE3

FRI frakt på alla onlineordrar över 500,00 kr

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor