Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 29 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
180-7291
Tillv. art.nr:
SI4459ADY-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

29A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

SO-8

Serie

TrenchFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

7.7mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

5W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

129nC

Framåtriktad spänning Vf

-1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

6.2 mm

Längd

5mm

Höjd

1.75mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Vishay MOSFET


The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source voltage of 30V and a maximum gate-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 5mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 7.8W and continuous drain current of 29A. The minimum and a maximum driving voltage for this MOSFET is 4.5V and 10V respectively. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications


• Adaptor switch

• Notebook

Certifications


• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg tested

• UIS teste

Relaterade länkar