Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5

RS-artikelnummer:: 133-6576
Tillv. art.nr:: BSC009NE2LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, OptiMOS 5

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

35 550,00 kr

(exkl. moms)

44 450,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr

I lager

10 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	7,11 kr	35 550,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 133-6576
Tillv. art.nr:: BSC009NE2LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	100A
	Maximal källspänning för dränering Vds	25V
	Kapseltyp	SuperSO
	Serie	OptiMOS 5
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	1.25mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Framåtriktad spänning Vf	1V
	Maximal effektförlust Pd	74W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	43nC
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	1.1mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	5.49mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp Typ N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A
	Maximal källspänning för dränering Vds 25V
	Kapseltyp SuperSO
	Serie OptiMOS 5
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 1.25mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Framåtriktad spänning Vf 1V
	Maximal effektförlust Pd 74W
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 43nC
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 1.1mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 5.49mm
	Fordonsstandard Nej

COO (ursprungsland):: MY

Infineon OptiMOS™ 5 Series MOSFET, 223A Maximum Continuous Drain Current, 74W Maximum Power Dissipation - BSC009NE2LS5ATMA1

This high-performance MOSFET is designed for power management applications, providing exceptional efficiency and reliability. Its optimised characteristics make it suitable for various automation, electronics, and electrical applications. The N-channel configuration and advanced design facilitate effective management of high current loads while maintaining low on-resistance, making it a preferred choice for modern circuitry.

Features & Benefits

• Supports high current applications with a maximum continuous drain current of 223A

• Very low on-resistance enhances energy efficiency during operation

• Capable of withstanding a maximum drain-source voltage of 25V

• Features a compact SuperSO8 package for efficient surface mounting

• Delivers effective thermal performance for heat dissipation

• 100% avalanche tested to ensure robust reliability

Applications

• Used in high-performance buck converters for efficient voltage regulation

• Suitable for power management in consumer electronics

• Implemented in automotive where compact design is crucial

• Utilised in renewable energy systems for effective power conversion

What is the optimal operating temperature range for installation?

The device operates effectively between -55°C and +150°C, allowing for versatility in various environmental conditions.

Can it be used for synchronous rectification applications?

Yes, the low RDS(on) ensures minimal conduction losses, making it suitable for synchronous rectification.

What handling precautions should be taken during installation?

Standard electrostatic discharge (ESD) precautions should be observed to prevent damage to the MOSFET.

How does the gate charge impact performance?

A typical gate charge of 43nC at 10V helps maintain quick switching speeds, enhancing overall efficiency.

Is this component RoHS compliant?

Yes, it features Pb-free lead plating and is RoHS compliant, aligning with modern environmental standards.