Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 30.8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, DTMOSIV

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

105,06 kr

(exkl. moms)

131,32 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 852,53 kr105,06 kr
10 - 1838,415 kr76,83 kr
20 - 4837,52 kr75,04 kr
50 - 9836,345 kr72,69 kr
100 +35,73 kr71,46 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
125-0563
Tillv. art.nr:
TK31E60X,S1X(S
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30.8A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-220

Serie

DTMOSIV

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

88mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

65nC

Maximal effektförlust Pd

230W

Framåtriktad spänning Vf

-1.7V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

10.16mm

Höjd

15.1mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

4.45 mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
JP

MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba


MOSFET-transistorer, Toshiba


Relaterade länkar