Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET, 30.8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 TK31E60X,S1X(S
- RS-artikelnummer:
- 125-0563
- Tillv. art.nr:
- TK31E60X,S1X(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
82,21 kr
(exkl. moms)
102,762 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- 4 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 41,105 kr | 82,21 kr |
| 10 - 18 | 30,13 kr | 60,26 kr |
| 20 - 48 | 29,345 kr | 58,69 kr |
| 50 - 98 | 28,45 kr | 56,90 kr |
| 100 + | 27,945 kr | 55,89 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 125-0563
- Tillv. art.nr:
- TK31E60X,S1X(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Brand | Toshiba | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 30.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | DTMOSIV | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 88mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 65nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.7V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 4.45 mm | |
| Length | 10.16mm | |
| Height | 15.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Brand Toshiba | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 30.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series DTMOSIV | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 88mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC | ||
Forward Voltage Vf -1.7V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 4.45 mm | ||
Length 10.16mm | ||
Height 15.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET N-Channel, TK3x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
relaterade länkar
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS4VX(M
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS5X(M
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS4VX(M
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS4VX(M
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VX(S
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin DFN
- Toshiba Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 5-Pin DFN TK31V60W5
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 100 V EnhancementS1X(S
