Toshiba N Kanal, MOSFET, 90 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- RS-artikelnummer:
- 168-7980
- Tillv. art.nr:
- TK40E10N1,S1X(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (50 enheter, i ett rör med 50)*
530,65 kr
(exkl. moms)
663,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 750 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 10,613 kr | 530,65 kr |
| 250 - 450 | 9,074 kr | 453,70 kr |
| 500 - 1200 | 8,85 kr | 442,50 kr |
| 1250 + | 8,617 kr | 430,85 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 168-7980
- Tillv. art.nr:
- TK40E10N1,S1X(S
- Tillverkare / varumärke:
- Toshiba
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Toshiba | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 90A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | TK | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | -1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 49nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 126W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.45mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 15.1mm | |
| Längd | 10.16mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Toshiba | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 90A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie TK | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf -1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 49nC | ||
Maximal effektförlust Pd 126W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.45mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 15.1mm | ||
Längd 10.16mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
MOSFET-transistorer, Toshiba
Relaterade länkar
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 90 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 72 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 60 A 120 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 55 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 105 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 60 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 207 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK
- Toshiba N Kanal, MOSFET, 214 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, TK