Toshiba Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, DTMOSIV

Tillfälligt slut
RS-artikelnummer:
125-0551
Tillv. art.nr:
TK20N60W5,S1VF(S
Tillverkare / varumärke:
Toshiba
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Toshiba

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

20A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-247

Serie

DTMOSIV

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

175mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

55nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Maximal effektförlust Pd

165W

Framåtriktad spänning Vf

-1.7V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

5.02 mm

Höjd

20.95mm

Längd

15.94mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
JP

MOSFET N-kanal, TK2x-serien, Toshiba


MOSFET-transistorer, Toshiba


Relaterade länkar