Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 70 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rulle med 800 enheter)*

10 200,80 kr

(exkl. moms)

12 751,20 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 14 400 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
800 - 80012,751 kr10 200,80 kr
1600 +12,432 kr9 945,60 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
124-8782
Tillv. art.nr:
IRF4905STRLPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ P

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

70A

Maximal källspänning för dränering Vds

55V

Kapseltyp

TO-263

Serie

HEXFET

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

20mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

170W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

120nC

Framåtriktad spänning Vf

-1.3V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

4.83mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

10.67mm

Bredd

9.65 mm

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
KR

MOSFET i Infineons HEXFET-serie, 70 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 170 W maximal effektförlust - IRF4905STRLPBF


Denna högströms-MOSFET är lämplig för olika applikationer inom automation och elektronik. Med en maximal kontinuerlig drainström på 70 A fungerar den vid drain-source-spänningar på upp till 55 V. Dess konfiguration i Enhancement Mode uppfyller prestandakraven, medan dess låga RDS(on) maximerar energieffektiviteten. Denna MOSFET är konstruerad för högeffektsapplikationer och erbjuder termisk stabilitet, vilket gör den lämplig för krävande driftsförhållanden.

Funktioner & fördelar


• Förbättrar systemets effektivitet genom låga on-resistance-värden

• Fungerar effektivt inom ett temperaturområde på -55°C till +150°C

• Stöd för snabba växlingshastigheter för bättre prestanda

• Har robust design för upprepade lavinförhållanden

• Levereras i en D2PAK TO-263-förpackning för enkel ytmontering

Användningsområden


• Används i strömhanteringssystem och omformare

• Lämplig för motorstyrning kräver hög effektivitet

• Integrerad i switchade nätaggregat för förbättrad prestanda

• Användbar i fordonsmiljöer som kräver tillförlitlig styrning

• Används i industriell automation som kräver hög effekttålighet

Vilken är den högsta temperatur som den här enheten kan arbeta vid?


Enheten har en maximal driftstemperatur på +150°C, vilket garanterar stabilitet under varierande miljöförhållanden.

Hur gynnar ett lågt RDS(on) kretsdesignen?


Låg RDS(on) minimerar ledningsförlusterna, vilket förbättrar den totala kretseffektiviteten och möjliggör svalare drift.

Kan denna komponent hantera pulsade strömmar?


Ja, den kan hantera pulsade dräneringsströmmar på upp till 280 A, vilket gör den lämplig för dynamiska applikationer.

Vilka är de viktigaste parametrarna för att välja kompatibla körspänningar?


Gate-to-source-spänningen bör ligga inom intervallet -20 V till +20 V för att garantera effektiv drift utan risk för skador.

Är den lämplig för högfrekventa switchapplikationer?


Enheten är konstruerad för snabb omkoppling, vilket gör den lämplig för högfrekventa operativa funktioner i elektroniska kretsar.

Relaterade länkar