Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 165-5890
- Tillv. art.nr:
- IRF3205STRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 800 enheter)*
6 382,40 kr
(exkl. moms)
7 977,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 800 enhet(er) levereras från den 17 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 7,978 kr | 6 382,40 kr |
| 1600 + | 7,579 kr | 6 063,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 165-5890
- Tillv. art.nr:
- IRF3205STRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 110A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 146nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal effektförlust Pd | 200W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Längd | 10.67mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 110A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 146nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal effektförlust Pd 200W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 4.83mm | ||
Längd 10.67mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals Power MOSFET 55V, Infineon
Infineons sortiment av diskreta HEXFET® power MOSFETs omfattar N-kanaliga enheter i ytmonterade och blyade paket och formfaktorer som kan hantera nästan alla utmaningar när det gäller kortlayout och termisk design. Hela sortimentets riktmärke för motstånd minskar ledningsförlusterna, vilket gör det möjligt för konstruktörerna att leverera optimal systemeffektivitet.
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 70 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 210 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 19 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET