Vishay SiR870BDP Type N-Channel Single MOSFETs, 81 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 1 enhet)*

18,59 kr

(exkl. moms)

23,24 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 6 000 enhet(er) från den 29 december 2025
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Längd(er)
Per Längd
1 - 918,59 kr
10 - 2418,03 kr
25 - 9917,58 kr
100 - 49915,01 kr
500 +14,11 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
653-201
Tillv. art.nr:
SIR870BDP-T1-UE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

81A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SiR870BDP

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0061Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.61mm

Width

5.15 mm

Length

6.15mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 100 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver low RDS(on), fast switching, and optimized thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

relaterade länkar