Vishay SIRA12DDP Type N-Channel Single MOSFETs, 81 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK

Se alla MOSFETs
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 längd med 1 enhet)*

4,03 kr

(exkl. moms)

5,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Längd(er)
Per Längd
1 - 244,03 kr
25 - 993,58 kr
100 - 4993,25 kr
500 - 9992,80 kr
1000 +2,58 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
653-145
Tillv. art.nr:
SIRA12DDP-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

81A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SIRA12DDP

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0036Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

38W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

9.2nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.04mm

Width

6.15 mm

Length

5.15mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

COO (Country of Origin):
TH
The Vishay N-channel MOSFET optimized for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 30 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver ultra-low RDS(on), fast switching, and excellent thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

relaterade länkar