Vishay SiR870BDP Type N-Channel MOSFET, 81 A, 100 V Enhancement, 8-Pin SO-8

Se alla MOSFETs

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

50 190,00 kr

(exkl. moms)

62 730,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 06 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +16,73 kr50 190,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
204-7223
Tillv. art.nr:
SiR870BDP-T1-RE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Brand

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

81A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

SiR870BDP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.1mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

5.26mm

Height

6.25mm

Width

1.12 mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 100 V (D-S) MOSFET has a very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM) and is tuned for the lowest RDS x Qoss FOM.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

relaterade länkar