STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 482-971
- Tillv. art.nr:
- SCT018W65G3-4AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
301,50 kr
(exkl. moms)
376,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 590 enhet(er) från den 16 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 301,50 kr |
| 5 + | 292,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 482-971
- Tillv. art.nr:
- SCT018W65G3-4AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Fästetyp | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Bredd | 21.1 mm | |
| Längd | 15.9mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie SCT | ||
Fästetyp Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Höjd 5.1mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Bredd 21.1 mm | ||
Längd 15.9mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
AEC-Q101 qualified
Very low RDS(on) over the entire temperature range
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Source sensing pin for increased efficiency
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal 30 A 650 V Förbättring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal 60 A 650 V Förbättring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal 55 A 650 V Förbättring H2PAK-7, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal 55 A 650 V Förbättring HIP-247-3, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal 110 A 900 V Förbättring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal 56 A 1200 V Förbättring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal 40 A 1200 V Förbättring SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal 29 A 1200 V Förbättring SCT AEC-Q101