Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 170 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMBG65

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

433,33 kr

(exkl. moms)

541,66 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 9433,33 kr
10 - 99389,98 kr
100 +359,63 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
351-987
Tillv. art.nr:
IMBG65R009M1HXTMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

170A

Uteffekt

555W

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Kapseltyp

PG-TO263-7

Serie

IMBG65

Fästetyp

Yta

Antal ben

7

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

9.45 mm

Längd

10.2mm

Standarder/godkännanden

JEDEC

Höjd

4.5mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon CoolSiC is built over the solid silicon carbide technology. Leveraging the wide bandgap SiC material characteristics, it offers a unique combination of performance, reliability and ease of use. Suitable for high temperature and harsh operations, it enables the simplified and cost effective deployment of the highest system efficiency.

Optimized switching behaviour at higher currents

Commutation robust fast body diode with low Qfr

Superior gate oxide reliability

Increased avalanche capability

Compatible with standard drivers

Relaterade länkar