Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 41 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 349-328
- Tillv. art.nr:
- IMBG65R050M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
79,52 kr
(exkl. moms)
99,40 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 79,52 kr |
| 10 - 99 | 71,68 kr |
| 100 - 499 | 65,97 kr |
| 500 - 999 | 61,15 kr |
| 1000 + | 54,88 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-328
- Tillv. art.nr:
- IMBG65R050M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 41A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | PG-TO263-7 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 62mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 172W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 23 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 41A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp PG-TO263-7 | ||
Serie CoolSiC | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 62mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximal effektförlust Pd 172W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 23 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
The Infineon 650 V CoolSiC MOSFET G2 is built on Infineon’s robust 2nd generation Silicon Carbide trench technology, offering unparalleled performance, superior reliability, and exceptional ease of use. This MOSFET enables cost effective, highly efficient, and simplified designs, meeting the ever-growing needs of modern power systems and markets. It is ideal for applications where high efficiency and robust performance are required, providing a reliable solution for a wide range of power electronics.
Ultra low switching losses
Robust against parasitic turn on even with 0 V turn off gate voltage
Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme
Robust body diode operation under hard commutation events
The .XT interconnection technology for best in class thermal performance
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal 238 A 650 V Förbättring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 115 A 650 V Förbättring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 91 A 650 V Förbättring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 49 A 650 V Förbättring PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal 81 A 750 V Förbättring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 64 A 750 V Förbättring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 98 A 750 V Förbättring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal 47 A 750 V Förbättring PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101