Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 41 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 349-328
- Tillv. art.nr:
- IMBG65R050M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
101,70 kr
(exkl. moms)
127,12 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 986 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 101,70 kr |
| 10 - 99 | 91,62 kr |
| 100 - 499 | 84,45 kr |
| 500 - 999 | 78,06 kr |
| 1000 + | 70,11 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-328
- Tillv. art.nr:
- IMBG65R050M2HXTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 41A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | PG-TO263-7 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 62mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 172W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 41A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp PG-TO263-7 | ||
Serie CoolSiC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 62mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 172W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineons 650 V CoolSiC MOSFET G2 bygger på Infineons robusta 2:a generationens Silicon Carbid trench-teknik, vilket ger oöverträffad prestanda, överlägsen tillförlitlighet och exceptionell användarvänlighet. Denna MOSFET möjliggör kostnadseffektiva, högeffektiva och förenklade konstruktioner, vilket uppfyller de ständigt växande behoven hos moderna kraftsystem och marknader. Den är idealisk för tillämpningar där hög effektivitet och robusta prestanda krävs, vilket ger en tillförlitlig lösning för ett brett utbud av kraftelektronik.
Mycket låga omkopplingsförluster
Robust mot parasitisk påslagning även med 0 V avstängningsgrindspänning
Flexibel drivspänning och kompatibel med bipolärt drivsystem
Robust kroppsdioddrift under hårda kommutationshändelser
.XT-anslutningsteknik för klassens bästa termiska prestanda
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 115 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 49 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 91 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 238 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 28 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 750 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 81 A 750 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 47 A 750 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, CoolSiC AEC-Q101