Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 58 A 650 V Förbättring, 7 Ben, PG-TO263-7, IMBG65

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

117,04 kr

(exkl. moms)

146,30 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 9117,04 kr
10 - 99105,39 kr
100 - 49997,33 kr
500 - 99990,16 kr
1000 +80,86 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
351-961
Tillv. art.nr:
IMBG65R033M2H
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

58A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Uteffekt

227W

Kapseltyp

PG-TO263-7

Serie

IMBG65

Fästetyp

Yta

Antal ben

7

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

4.5mm

Standarder/godkännanden

JEDEC

Bredd

9.45 mm

Längd

10.2mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon CoolSiC MOSFET G2 in a D2PAK-7 package builds on the strengths of Generation 1 technology and enables the accelerated system design of more cost optimized, efficient, compact, and reliable solutions. Generation 2 comes with significant improvements in key figures-of-merit for both, hard-switching operation and soft-switching topologies, suitable for all common combinations of AC-DC, DC-DC, and DC-AC stages.

Enables BOM savings

Highest reliability

Enables top efficiency and power density

Ease of use

Full compatibility with existing vendors

Allows designs without fan or heatsink

Relaterade länkar