Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 137 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

93,52 kr

(exkl. moms)

116,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 909,352 kr93,52 kr
100 - 2408,893 kr88,93 kr
250 - 4908,221 kr82,21 kr
500 - 9907,582 kr75,82 kr
1000 +7,302 kr73,02 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
349-427
Tillv. art.nr:
IPD023N03LF2SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

137A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

OptiMOS

Kapseltyp

PG-TO252-3

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.35mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

39nC

Maximal effektförlust Pd

107W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V technology features a best in class RDS(on) of 2.3 mOhm in a DPAK package. This product addresses a broad range of applications from low to high switching frequency.

General purpose products

Excellent robustness

Broad availability at distributors

Standard packages and pin out

High manufacturing and supply standards

Relaterade länkar