Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 73 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 349-430
- Tillv. art.nr:
- IPD040N03LF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
73,47 kr
(exkl. moms)
91,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 970 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 7,347 kr | 73,47 kr |
| 100 - 240 | 6,989 kr | 69,89 kr |
| 250 - 490 | 6,474 kr | 64,74 kr |
| 500 - 990 | 5,958 kr | 59,58 kr |
| 1000 + | 5,734 kr | 57,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-430
- Tillv. art.nr:
- IPD040N03LF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 73A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | PG-TO252-3 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.05mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 75W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 73A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp PG-TO252-3 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.05mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 75W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V technology features a best in class RDS(on) of 4 mOhm in a DPAK package. This product addresses a broad range of applications from low to high switching frequency.
General purpose products
Excellent robustness
Broad availability at distributors
Standard packages and pin out
High manufacturing and supply standards
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 143 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 137 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 80 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 950 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -16.4 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS