Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 73 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 349-430
- Tillv. art.nr:
- IPD040N03LF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
159,04 kr
(exkl. moms)
198,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 970 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 15,904 kr | 159,04 kr |
| 100 - 240 | 15,12 kr | 151,20 kr |
| 250 - 490 | 14,00 kr | 140,00 kr |
| 500 - 990 | 12,88 kr | 128,80 kr |
| 1000 + | 12,421 kr | 124,21 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-430
- Tillv. art.nr:
- IPD040N03LF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 73A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Kapseltyp | PG-TO252-3 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.05mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 75W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 73A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie OptiMOS | ||
Kapseltyp PG-TO252-3 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.05mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximal effektförlust Pd 75W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineons StrongIRFET 2 Power MOSFET 30 V-teknik har en klassens bästa RDS(on) på 4 mOhm i ett DPAK-paket. Denna produkt hanterar ett brett spektrum av tillämpningar från låg till hög omkopplingsfrekvens.
Produkter för allmänna ändamål
Utmärkt robusthet
Bred tillgänglighet hos distributörer
Standardpaket och stiftutgång
Hög tillverkning och leveransstandard
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 137 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 71 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 143 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 80 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 950 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 4.3 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 6.5 A 60 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS