Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 99 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

82,43 kr

(exkl. moms)

103,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 908,243 kr82,43 kr
100 - 2407,818 kr78,18 kr
250 - 4907,246 kr72,46 kr
500 - 9906,664 kr66,64 kr
1000 +6,429 kr64,29 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
349-429
Tillv. art.nr:
IPD030N03LF2SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

99A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

OptiMOS

Kapseltyp

PG-TO252-3

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3.05mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

16nC

Maximal effektförlust Pd

83W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V technology features a best in class RDS(on) of 3 mOhm in a DPAK package. This product addresses a broad range of applications from low to high switching frequency.

General purpose products

Excellent robustness

Broad availability at distributors

Standard packages and pin out

High manufacturing and supply standards

Relaterade länkar