Infineon N Kanal, MOSFET, 99 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 349-429
- Tillv. art.nr:
- IPD030N03LF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 100 till för att spara 5%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
229,71 kr
(exkl. moms)
287,14 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 990 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 10 - 90 | 22,971 kr | 229,71 kr | - |
| 100 - 240 | 21,795 kr | 217,95 kr | 5% |
| 250 - 490 | 20,182 kr | 201,82 kr | 12% |
| 500 - 990 | 18,592 kr | 185,92 kr | 19% |
| 1000 + | 17,92 kr | 179,20 kr | 21% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-429
- Tillv. art.nr:
- IPD030N03LF2SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 99A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PG-TO252-3 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.05mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 83W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 99A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PG-TO252-3 | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.05mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximal effektförlust Pd 83W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineons StrongIRFET 2 Power MOSFET 30 V-teknik har en klassens bästa RDS(on) på 3 mOhm i ett DPAK-paket. Denna produkt hanterar ett brett spektrum av tillämpningar från låg till hög omkopplingsfrekvens.
Produkter för allmänna ändamål
Utmärkt robusthet
Bred tillgänglighet hos distributörer
Standardpaket och stiftutgång
Hög tillverkning och leveransstandard
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 73 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 71 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7 A 650 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 143 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 137 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4.7 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 80 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS