Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 143 A 30 V Förbättring, 3 Ben, PG-TO252-3, OptiMOS

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 10 enheter)*

114,35 kr

(exkl. moms)

142,94 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 1 980 enhet(er) från den 27 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
10 - 9011,435 kr114,35 kr
100 - 24010,864 kr108,64 kr
250 +10,069 kr100,69 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
349-426
Tillv. art.nr:
IPD020N03LF2SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

143A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

PG-TO252-3

Serie

OptiMOS

Fästetyp

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2.05mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

136W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

33nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN
The Infineon StrongIRFET 2 power MOSFET 30 V technology features a best in class RDS(on) of 2 mOhm in a DPAK package. This product addresses a broad range of applications from low to high switching frequency.

General purpose products

Excellent robustness

Broad availability at distributors

Standard packages and pin out

High manufacturing and supply standards

Relaterade länkar