Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 297 A 135 V Förbättring, 16 Ben, PG-HSOF-16, IPT

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

99,23 kr

(exkl. moms)

124,04 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 1 796 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 999,23 kr
10 - 9989,38 kr
100 - 49982,43 kr
500 - 99976,50 kr
1000 +68,43 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
349-133
Tillv. art.nr:
IPTC020N13NM6ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

297A

Maximal källspänning för dränering Vds

135V

Serie

IPT

Kapseltyp

PG-HSOF-16

Typ av fäste

Yta

Antal ben

16

Maximal drain-källresistans Rds

2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

395W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

159nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

IEC61249-2-21

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
MY
The Infineon OptiMOS 6 Power Transistor, 120 V is an N-channel, normal level MOSFET designed for high performance power applications. It offers very low on-resistance (RDS(on)), reducing conduction losses and enhancing efficiency. The MOSFET features an excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) for superior switching performance. It also boasts a very low reverse recovery charge (Qrr), optimizing efficiency during switching events. With a high avalanche energy rating, it ensures reliability under demanding conditions and operates effectively at 175°C, making it ideal for high temperature environments.

Optimized for high frequency switching and synchronous rectification

Pb free lead plating

RoHS compliant

Halogen free according to IEC61249-2-21

MSL 1 classified according to J-STD-020

Relaterade länkar