Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 169 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-8, IPT

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2000 enheter)*

39 878,00 kr

(exkl. moms)

49 848,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 08 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2000 +19,939 kr39 878,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-2793
Tillv. art.nr:
IPT029N08N5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

169A

Maximal källspänning för dränering Vds

80V

Kapseltyp

PG-HSOF-8

Serie

IPT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

2.9mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

7nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

167W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

RoHS, JEDEC1, IEC61249-2-21

Fordonsstandard

Nej

The Infineon MOSFET is a N channel 80 V MOSFET and ideal for high frequency switching and synchronized rectification. It is qualified according to JEDEC for target applications. This MOSFET is fully qualified according to JEDEC for industrial applications and halogen free according to IEC61249 2 21.

RoHS compliant

Pb free lead plating

Excellent gate charge

Very low on resistance

100 percent avalanche tested

Relaterade länkar